DDR3 SODIMM

产品特色

  • Small Outline Dual In-line Memory Module

  • Fully Tested and Optimized for Stability and Performance

  • Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards

  • JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)

  • Operating Environment : 0°C ~ 85°C

  • RoHS Compliance

  • CE/FCC Certification


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相关应用

介绍 规格 产品料号 相关资源

介绍:

DDR3 SODIMM是款设计精巧的记忆模块，能够完美符合任何嵌入式、安防监控及自动化应用。

此模块符合JEDEC相关标准，提供1GB、2GB、4GB、8GB及16GB的容量，并支持1066MT/s，13333MT/s，1600MT/s及1866MT/s的传输速度。


Certification:
20221221-09432737.jpg





 

规格：

Interface DDR3
Form Factor SODIMM
Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
Function Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number 204pin
Width 64Bits
Voltage 1.5V, 1.35V
PCB Height 1.18 Inches
Operating Temperature 0°C to 85°C

 

产品料号：

Density

Component

Composition

Part NumberRankVoltageDescription

1GB

128Mx16M3S0-1GSWFCQE1Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

1GB

128Mx16M3S0-1GMWFCQE1Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

2GB

256Mx8M3S0-2GSJCCQE1Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

2GB

256Mx8M3S0-2GMJCCQE1Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

2GB

256Mx16M3S0-2GMVFCQE1Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

2GB

256Mx16M3S0-2GMVFCQE1Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

256Mx16M3S0-4GSV0CQE2Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

256Mx16M3S0-4GMV0CQE2Rx161.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

256Mx8M3S0-4GSJDCQE2Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

256Mx8M3S0-4GMJDCQE2Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

512Mx8M3S0-4GSSCCQE1Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

4GB

512Mx8M3S0-4GMSCCQE1Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

8GB

512Mx8M3S0-8GSSDCQE2Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM

8GB

512Mx8M3S0-8GMSDCQE2Rx81.5V/1.35VDDR3 1866 SODIMM


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